| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | REEL |
| 极性 | P-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 30V |
| 连续漏极电流(Ids) | 8A |
P 通道功率 MOSFET 30V，Infineon
●Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SI4435DY. 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 15 mohm, -10 V, -1.7 V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4435DDY-T1-E3. 场效应管, MOSFET, P沟道, 30V, 11.4A
Infineon（英飞凌）
INFINEON SI4435DYTRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.015 ohm, 10 V, -1 V 新
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4435DDY-T1-GE3 场效应管, P通道, MOSFET, -30V, -8.1A, SOIC-8, 整卷
VISHAY（威世）
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON SI4435DYPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 8 A, -30 V, 0.015 ohm, -10 V, -1 V
International Rectifier（国际整流器）
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