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SI4435DDY-T1-E3
来自 AiPCBA

SI4435DDY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
描述:-30V,-11.4A,P沟道MOSFET
PDF文件:SI4435DDY-T1-E3 数据手册 (10 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

SI4435DDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
极性P-Channel
漏源极电压(Vds)-30.0 V
连续漏极电流(Ids)-11.4 A
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SI4435DDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Reel
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SI4435DDY-T1-E3 数据手册

SI4435DDY-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
10 页 / 0.26 MByte
SI4435DDY-T1-E3 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
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