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SI4435DDY-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI4435DDY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC N
描述:VISHAY  SI4435DDY-T1-GE3  场效应管, P通道, MOSFET, -30V, -8.1A, SOIC-8, 整卷
PDF文件:SI4435DDY-T1-GE3 数据手册 (10 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

SI4435DDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数8 Pin
封装SOIC N
极性P-Channel
功耗2.50 W
漏源极电压(Vds)-30.0 V
连续漏极电流(Ids)-8.10 A
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SI4435DDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Cut Tape (CT)
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SI4435DDY-T1-GE3 数据手册

SI4435DDY-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
10 页 / 0.26 MByte
SI4435DDY-T1-GE3 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
10 页 / 0.26 MByte

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