| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -8.80 A |
| 封装 | SOIC |
| 漏源极电阻 | 20.0 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2.50 W |
| 输入电容 | 1.60 nF |
| 栅电荷 | 17.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | -30.0 V |
| 漏源击穿电压 | -150 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -8.80 A |
| 上升时间 | 13.5 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SI4435DY. 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 15 mohm, -10 V, -1.7 V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4435DDY-T1-E3. 场效应管, MOSFET, P沟道, 30V, 11.4A
Infineon（英飞凌）
INFINEON SI4435DYTRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.015 ohm, 10 V, -1 V 新
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4435DDY-T1-GE3 场效应管, P通道, MOSFET, -30V, -8.1A, SOIC-8, 整卷
VISHAY（威世）
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON SI4435DYPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 8 A, -30 V, 0.015 ohm, -10 V, -1 V
International Rectifier（国际整流器）
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