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RW1C025ZPT2CR 数据手册 - ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
制造商:
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
分类:
MOS管
封装:
WEMT-6
描述:
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
RW1C025ZPT2CR 数据手册
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RW1C025ZPT2CR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
WEMT-6
极性
P-Channel
漏源极电压(Vds)
20V
连续漏极电流(Ids)
2.5A
RW1C025ZPT2CR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
RW1C025ZPT2CR 符合标准
RW1C025ZPT2CR 数据手册
RW1C025ZPT2CR
其他数据使用手册
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
3 页 / 0.09 MByte
RW1C025ZPT2CR
产品封装文件
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
3 页 / 0.07 MByte
RW1C025ZPT2CR
产品手册
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
38 页 / 10.45 MByte
RW1C025ZPT2 数据手册
RW1C025ZPT2
CR
数据手册
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1 V
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示例:
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