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BSG0811ND 数据手册 - Infineon(英飞凌)
制造商:
Infineon(英飞凌)
封装:
8-PowerTDFN
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BSG0811ND 数据手册
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BSG0811ND 技术参数、封装参数
类型
描述
封装
8-PowerTDFN
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
25V
连续漏极电流(Ids)
31A/50A
BSG0811ND 符合标准
BSG0811 数据手册
BSG0811
NDATMA1
数据手册
Infineon(英飞凌)
BSG0811ND 系列 25 V 3/0.8 mOhm Dual N沟道 OptiMOS™ 功率-晶体管-PG-TISON8-4
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示例:
STM32F103
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