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NTJD4401NT1G
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NTJD4401NT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SOT-363
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTJD4401NT1G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 630 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 920 mV
PDF文件:NTJD4401NT1G 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

NTJD4401NT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
额定电压(DC)20.0 V
额定电流630 mA
封装SOT-363
漏源极电阻510 mΩ
极性N-Channel, Dual N-Channel
功耗270 mW
漏源极电压(Vds)20.0 V
漏源击穿电压20.0 V
栅源击穿电压-12.0 V to 12.0 V
连续漏极电流(Ids)630 mA
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NTJD4401NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Cut Tape (CT)
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NTJD4401NT1G 数据手册

NTJD4401NT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.06 MByte
NTJD4401NT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
12 页 / 0.09 MByte
NTJD4401NT1G 其他参考文件
ON Semiconductor（安森美）
1 页 / 0.15 MByte

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ON SEMICONDUCTOR  NTJD4401NT1G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 630 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 920 mV
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