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VNB28N04-E
来自 AiPCBA

VNB28N04-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-263
描述:STMICROELECTRONICS  VNB28N04-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 51 V, 35 mohm, 10 V, 3 V
PDF文件:VNB28N04-E 数据手册 (11 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

VNB28N04-E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263
漏源极电阻35.0 mΩ
极性N-Channel
功耗83.0 W
漏源击穿电压42.0 V
连续漏极电流(Ids)14.0 A
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VNB28N04-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
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VNB28N04-E 数据手册

VNB28N04-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
11 页 / 0.26 MByte

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