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IRL640

来自 AiPCBA

IRL640 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:	Vishay Semiconductor（威世）
分类:	N沟道MOS管
描述:	功率MOSFET Power MOSFET
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

IRL640 数据手册

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IRL640 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
额定电压(DC)	200 V
额定电流	17.0 A
漏源极电压(Vds)	200 V
漏源击穿电压	200 V (max)
连续漏极电流(Ids)	17.0 A
上升时间	83.0 ns

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Vishay Semiconductor（威世）

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