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US6K1TR
来自 AiPCBA

US6K1TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TUMT6
描述:N-沟道 30 V 340 mΩ 1 W 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TUMT-6
PDF文件:US6K1TR 数据手册 (4 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

US6K1TR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)30.0 V
额定电流1.50 A
封装TUMT6
漏源极电阻240 mΩ
极性N-Channel, Dual N-Channel
功耗1.00 W
漏源极电压(Vds)30.0 V
漏源击穿电压30.0 V
连续漏极电流(Ids)1.50 A
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US6K1TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Cut Tape (CT)
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US6K1TR 数据手册

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
4 页 / 0.12 MByte
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