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STGD6NC60HDT4
来自 AiPCBA

STGD6NC60HDT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
描述:STGD6NC60HD 系列 N沟道 600 V 7 A 极快 PowerMESH IGBT - TO-252-3
PDF文件:STGD6NC60HDT4 数据手册 (15 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STGD6NC60HDT4 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)600 V
额定电流15.0 A
封装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
功耗50.0 W
击穿电压(集电极-发射极)600 V
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STGD6NC60HDT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Reel
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STGD6NC60HDT4 数据手册

STGD6NC60HDT4 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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N沟道600V - 7A - DPAK非常快的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 7A - DPAK Very fast PowerMESH TM IGBT
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