类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 500 V |
额定电流 | 30.0 A |
封装 | TO-247 |
漏源极电阻 | 120 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 313 W |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
连续漏极电流(Ids) | 30.0 A |
上升时间 | 25.0 ns |
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STMICROELECTRONICS STW26NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V
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STMICROELECTRONICS STW26NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V
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N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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N沟道600V - 0.125ohm - 26A TO- 247齐纳保护MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.125ohm - 26A TO-247 Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET
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