| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | REEL |
| 极性 | N-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 150V |
| 连续漏极电流(Ids) | 33A |
N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.27 MByte
Infineon（英飞凌）
27 页 / 0.3 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.04 MByte
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.14 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFB33N15DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 56 mohm, 10 V, 5.5 V
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 150V ， RDS（ON）最大值= 0.056ohm ，ID = 33A ） Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.056ohm, Id=33A)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
