STP20NM50FD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220
描述:	N沟道500V - 0.22W - 20A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK FDmesh⑩功率MOSFET （具有快速二极管） N-CHANNEL 500V - 0.22W - 20A TO-220/TO-220FP/D2PAK FDmesh⑩ Power MOSFET (with FAST DIODE)
PDF文件:	STP20NM50FD 数据手册 (16 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

STP20NM50FD 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
额定电压(DC)	500 V
额定电流	20.0 A
封装	TO-220
漏源极电阻	250 mΩ
极性	N-Channel
功耗	192 W
漏源极电压(Vds)	500 V
漏源击穿电压	500 V
栅源击穿电压	-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)	20.0 A

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STP20NM50FD 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube

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ST Microelectronics（意法半导体）

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STMICROELECTRONICS STP20NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V

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N沟道500V - 0.22W - 20A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK FDmesh⑩功率MOSFET （具有快速二极管） N-CHANNEL 500V - 0.22W - 20A TO-220/TO-220FP/D2PAK FDmesh⑩ Power MOSFET (with FAST DIODE)

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