| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 14.0 A |
| 封装 | TO-252 |
| 漏源极电阻 | 100 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 48.0 W |
| 输入电容 | 670 pF |
| 栅电荷 | 40.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 50.0 V |
| 漏源击穿电压 | 50.0 V |
| 栅源击穿电压 | -10.0 V to 10.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 14.0 A |
| 上升时间 | 24.0 ns |
Fairchild（飞兆/仙童）
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05LSM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 5 V, 2 V
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05L 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 5 V, 2 V
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N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05SM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
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14A ， 50V ， 0.100 Ohm的N通道功率MOSFET 14A, 50V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
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