Datasheet 搜索 > MOS管 > ST Microelectronics（意法半导体） > STP13NK60Z Datasheet 文档
STP13NK60Z
来自 AiPCBA

STP13NK60Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220
描述:STMICROELECTRONICS  STP13NK60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 550 mohm, 10 V, 3.75 V
PDF文件:STP13NK60Z 数据手册 (18 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STP13NK60Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流13.0 A
封装TO-220
漏源极电阻550 mΩ
极性N-Channel
功耗150 W
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)13.0 A
上升时间14.0 ns
查看数据手册 >

STP13NK60Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
查看数据手册 >

STP13NK60Z 数据手册

STP13NK60Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
18 页 / 0.47 MByte
STP13NK60Z 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
20 页 / 2.6 MByte
STP13NK60Z 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
4 页 / 0.01 MByte
STP13NK60Z 其他参考文件
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.12 MByte

STP13NK60 数据手册

STP13NK60Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STP13NK60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 550 mohm, 10 V, 3.75 V
STP13NK60ZFP 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STP13NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 480 mohm, 10 V, 3.75 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet