| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 800 V |
| 额定电流 | 11.0 A |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源极电阻 | 400 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 150 W |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 栅源击穿电压 | -30.0 V to 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
| 上升时间 | 17.0 ns |
N 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STMICROELECTRONICS STP11NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 400 mohm, 10 V, 4 V
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N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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80V,110A,0.0065Ω,N沟道功率MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP11NK50ZFP 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 500 V, 520 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP11NM60 场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 11A, TO-220
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP11NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 500 V, 520 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP11NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道650 V， 0.425 I©典型值，11是MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET采用DPAK ， TO- 220FP ， I²PAKFP和TO- 220封装 N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmeshâ¢II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I²PAKFP and TO-220 packages
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STP110N8F7 系列 80 V 80 A 7.5 mOhm N-沟道 STripFET™ F7 功率 Mosfet - TO-220-3
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