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STF10N60M2 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
描述:
600V,0.56Ω,7.5A,N沟道功率MOSFET
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
STF10N60M2 数据手册
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STF10N60M2 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600V
连续漏极电流(Ids)
7.5A
STF10N60M2 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
STF10N60M2 符合标准
STF10N60M2 概述
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics
●
STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。
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