类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 650 V |
额定电流 | 7.30 A |
封装 | TO-220 |
极性 | N-Channel |
功耗 | 83.0 W |
漏源极电压(Vds) | 650 V |
连续漏极电流(Ids) | 7.30 A |
上升时间 | 40.0 ns |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tube |
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON SPP07N60C3.. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON SPP07N60C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON SPP07N60S5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4.5 V
Infineon(英飞凌)
CoolMOSTM功率晶体管特性的内在快速恢复体二极管 CoolMOSTM Power Transistor Features Intrinsic fast-recovery body diode
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