| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 55.0 V |
| 额定电流 | 60.0 A |
| 封装 | TO-252 |
| 漏源极电阻 | 14.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 110 W |
| 漏源极电压(Vds) | 55.0 V |
| 漏源击穿电压 | 55.0 V |
| 栅源击穿电压 | -15.0 V to 15.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 30.0 A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD60NF55LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 2 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK / IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK/IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
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