PBSS9110Z 数据手册 - NXP（恩智浦）

NXP  PBSS9110X,135  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 550 mW, -1 A, 150 hFE

NXP  PBSS9110Z,135  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 650 mW, -1 A, 150 hFE

PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors

NXP PBSS9110X,135 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:125, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装

PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors

NXP  PBSS9110T  单晶体管 双极, PNP, 100 V, 300 mW, 1 A, 150 hFE

NXP  PBSS9110Z  单晶体管 双极, PNP, 100 V, 650 mW, 1 A, 150 hFE

低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia

PBSS9110Y - 100 V、1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管