| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TO-252-3 |
| 漏源极电阻 | 250 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 192 W |
| 漏源极电压(Vds) | 500V |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 栅源击穿电压 | -30.0 V to 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20.0 A |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道500V - 0.20ohm - 20A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK的MDmesh功率MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道500V - 0.20ohm - 20A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK的MDmesh功率MOSFET ？ N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道500V - 0.20ヘ - 20A - TO220 / FP- D2PAK - I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.20ヘ - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道500V - 0.22ohm - 20A TO- 220 / I2PAK FDmesh⑩功率MOSFET，快速二极管 N-CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A TO-220/I2PAK FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE
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