| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | 40.0 V |
| 额定电流 | 200 mA |
| 封装 | SOT-363 |
| 极性 | NPN, PNP |
| 功耗 | 150 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40V |
| 集电极最大允许电流 | 0.2A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| -40V/60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| -40V/40V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| -200mA/200mA 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 250MHz/300MHz 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 300 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage| -400mV/300mV 耗散功率Pc Power Dissipation| 150mW Description & Applications| Features • Dual General Purpose Transistors • hFE, 100−300 • Low VCE(sat), ≤ 0.4 V • Simplifies Circuit Design • Reduces Board Space • Reduces Component Count • Available in 8 mm, 7−inch/3,000 Unit Tape and Reel • Device Marking: MBT3946DW1T1 = 46 • Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish 描述与应用| 特点 •双通用晶体管 •HFE，100-300 •低VCE（sat），≤0.4 V •简化电路设计 •缩小板级空间 •减少元件数量 •可在8毫米，7寸/3,000组带和卷轴 •器件标识：MBT3946DW1T1= 46 •无铅包装可能可用。 G-后缀表示一个Pb-Free无铅封装
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双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MBT3946DW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 40 V, 150 mW, 200 mA, 250 hFE, SOT-363
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