| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 10.0 A |
| 封装 | TO-263 |
| 漏源极电阻 | 750 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 115 W |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅源击穿电压 | -30.0 V to 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.50 A |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB10NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 650 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 0.65OHM - 10A - I2 / D2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247齐纳保护超网TM功率MOSFET N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH TM Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 0.65ohm -10A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V-0.65ohm-10A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
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