| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | -100 V |
| 额定电流 | -6.80 A |
| 封装 | TO-220AB |
| 漏源极电阻 | 480 mΩ (max) |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 48.0 W |
| 零部件系列 | IRF9520N |
| 漏源极电压(Vds) | -100 V |
| 漏源击穿电压 | -100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -6.80 A |
| 上升时间 | 47.0 ns |
International Rectifier（国际整流器）
0.09 MByte
Intersil（英特矽尔）
6A ， 100V ， 0.600欧姆，P沟道功率MOSFET 6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFET
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF9520NPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 6.8 A, -100 V, 480 mohm, -10 V, -4 V
VISHAY（威世）
P 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRF9520PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 6 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V
International Rectifier（国际整流器）
P沟道,-100V,-6.8A,480mΩ@-10V
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