| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 650 V |
| 额定电流 | 3.20 A |
| 封装 | TO-263 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 38.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.20 A |
| 上升时间 | 3.00 ns |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON SPB03N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 600 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V
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酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS Power Transistor
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