类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 50.0 A |
封装 | TO-263 |
漏源极电阻 | 18.0 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 110 W |
漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
漏源击穿电压 | 60.0 V |
栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 50.0 A |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics(意法半导体)
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N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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STMICROELECTRONICS STB55NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.014 ohm, 16 V, 1.7 V
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N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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N沟道60V - 0.015ヘ - 50A - D2PAK / I2PAK / TO- 220 / TO- 220FP STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.015ヘ - 50A - D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFET
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