| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC |
| 极性 | N-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 30V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10A |
N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.11 MByte
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.09 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4410BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 整卷
Infineon（英飞凌）
INFINEON SI4410DYTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4410BDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 10A, 30V, 2.5W
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
VISHAY（威世）
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
