集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −150mA/-0.15A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 140MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 180~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 150mW/0.15W Description & Applications | PNP Silicon epitaxial planar type General purpose transistor Features Excellent hFE linearity Complements the 2SC5658 描述与应用 | PNP硅外延平面型 通用晶体管 特点 优秀HFE线性 补充2SC5658
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
0.13 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
