| 类型 | 描述 |
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| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 2.2KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 0.047 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 100 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW Description & Applications| FEATURES • Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 and 47 k respectively) • Simplification of circuit design • Reduces number of components and board space 描述与应用| 特性 •内置偏置电阻R1和R2（典型值2.2和47 k） •简化电路设计 •减少元件数量和电路板空间
NXP（恩智浦）
NPN电阻配备晶体管 NPN resistor-equipped transistor
NXP（恩智浦）
NXP PDTC123JE,115 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 150 mW, 100 mA, 100 hFE
Nexperia USA
PDTC123J 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-23-3
Nexperia USA
Nexperia PDTC123ET,215 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP（恩智浦）
NXP PDTC123ET,215 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 250 mW, 100 mA, 30 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PDTC123JT,215 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, SOT-23
NXP（恩智浦）
NXP PDTC123ET 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 250 mW, 100 mA, 30 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PDTC123JT 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 250 mW, 100 mA, 100 hFE
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