| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-323/SC-70 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50V |
| 集电极最大允许电流 | 20mA |
| 类型 | 描述 |
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| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 100KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 100KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 80 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. 描述与应用| 特性 •内置偏置电阻 •简化电路设计 •减少元件数量 •减少取放成本
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
NXP PDTC115EE,115 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 80 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PDTC115ET 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 250 mW, 100 mA, 80 hFE
Nexperia USA
Nexperia PDTC115ET,215 NPN 数字晶体管, 0.02 A, Vce=50 V, 100 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP（恩智浦）
NXP PDTC115TE,115 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 100 hFE
Nexperia USA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
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NPN 晶体管，NXP### 数字晶体管，NXP配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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