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PBSS4240T
来自 AiPCBA

PBSS4240T 技术参数、封装参数

PBSS4240T 外形尺寸、物理参数、其它

PBSS4240T 数据手册

NXP(恩智浦)
7 页 / 0.24 MByte
NXP(恩智浦)
4 页 / 0.21 MByte
NXP(恩智浦)
16 页 / 0.2 MByte

PBSS4240 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP  PBSS4240T,215  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 230 MHz, 300 mW, 2 A, 150 hFE
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS4240T  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 230 MHz, 300 mW, 2 A, 470 hFE
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS4240DPN,115  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 40 V, 310 mW, 1.35 A, 300 hFE, SOT-457
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS4240XX  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 1.35 W, 2 A, 900 hFE
Nexperia USA
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
NXP(恩智浦)
NPN/PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NPN 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
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