| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | REEL |
| 极性 | N-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 100V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.5A |
N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon
●Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON）最大值= 0.060ohm ，ID = 4.5A ） Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.060ohm, Id=4.5A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7452PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 100 V, 60 mohm, 10 V, 5.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7452TRPBF 场效应管, MOSFET
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