| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 48 Pin |
| 电源电压 | 2.70 V (min) |
| 额定电压(DC) | 3.00 V |
| 封装 | TSOP |
| 内存容量 | 32000000 B |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Tube |
Micron（镁光）
56 页 / 0.92 MByte
Micron（镁光）
60 页 / 1.1 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
Micron（镁光）
MICRON NAND256W3A2BN6E 闪存, 与非, 256 Mbit, 32K x 8位, TSOP, 48 引脚
ST Microelectronics（意法半导体）
128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
ST Microelectronics（意法半导体）
128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
ST Microelectronics（意法半导体）
128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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