| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 9.20 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 170 W |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.20 A |
| 上升时间 | 25.0 ns |
N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 600V ， RDS（ON） = 0.75ohm ，ID = 9.2A ） Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.75ohm, Id=9.2A)
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N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFB9N60APBF. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 600 V, 750 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
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