| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 120 A |
| 封装 | TO-264AA |
| 漏源极电阻 | 17.0 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 560 W |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 120 A |
| 上升时间 | 65.0 ns |
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N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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N 通道功率 MOSFET，IXYS HiPerFET™ X2 系列与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管，且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 快速本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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