类型 | 描述 |
---|
封装 | REEL |
极性 | P-CH |
漏源极电压(Vds) | 20V |
连续漏极电流(Ids) | 5.6A |
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.14 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.07 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.15 MByte
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
P沟道,-20V,-5.6A,50mΩ@-4.5V
International Rectifier(国际整流器)
IRLMS6802TR P沟道MOS场效应管 -20V -5.6A 100毫欧 SOT-163 marking/标记 2EO/E5 低导通电阻 第五代技术
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件