| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOIC |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30V |
| 连续漏极电流(Ids) | 8A |
双 P 通道功率 MOSFET，Infineon
●Infineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备，以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项，设计人员可以选择双 P 通道配置。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7328TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -8 A, -30 V, 0.017 ohm, -10 V, -2.5 V
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INFINEON IRF7328PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 8 A, -30 V, 0.017 ohm, -10 V, -2.5 V
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