| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | REEL |
| 极性 | P-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 100V |
| 连续漏极电流(Ids) | 13A |
P 通道功率 MOSFET 100V 至 150V，Infineon
●Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = -100V ， RDS（ON） = 0.205ohm ，ID = -13A ） Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFU5410PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 13 A, -100 V, 205 mohm, -10 V, -4 V
International Rectifier（国际整流器）
P沟道,-100V,-13A,205mΩ@-10V
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