| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 250 V |
| 额定电流 | 5.20 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 50.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.20 A |
| 上升时间 | 22.0 ns |
N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier（国际整流器）
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道功率MOSFET ， 7A ， 150-200V N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRF620PBF 场效应管, MOSFET, N沟道
International Rectifier（国际整流器）
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