类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 55.0 V |
额定电流 | 110 A |
封装 | TO-263 |
极性 | N-Channel |
功耗 | 150 W |
零部件系列 | IRF3205S |
输入电容 | 3.25 nF |
栅电荷 | 146 nC |
漏源极电压(Vds) | 55.0 V |
漏源击穿电压 | 55.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 110 A |
上升时间 | 101 ns |
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 8.0mohm ,ID = 110A ) Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A)
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Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.0049 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3205SPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 110A, D2-PAK 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF3205ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 110 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 4 V
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