| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | REEL |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 55V |
| 连续漏极电流(Ids) | 110A |
N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 55V ， RDS（ON） = 8.0mohm ，ID = 110A ） Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A)
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Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.0049 ohm, 10 V, 4 V
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N 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3205SPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 110A, D2-PAK 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF3205ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 110 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 4 V
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