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FQD16N25CTM
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FQD16N25CTM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-252
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD16N25CTM  场效应管, MOSFET, N沟道, 250V
PDF文件:FQD16N25CTM 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FQD16N25CTM 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)250 V
额定电流16.0 A
封装TO-252
漏源极电阻220 mΩ
极性N-Channel
功耗160 W
漏源极电压(Vds)250 V
漏源击穿电压250 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)16.0 A
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FQD16N25CTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Cut Tape (CT)
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FQD16N25CTM 数据手册

FQD16N25CTM 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.48 MByte
FQD16N25CTM 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
18 页 / 0.94 MByte
FQD16N25CTM 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
7 页 / 0.87 MByte
FQD16N25CTM 其他参考文件
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.14 MByte

FQD16N25 数据手册

FQD16N25CTM 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD16N25CTM  场效应管, MOSFET, N沟道, 250V
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