| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 2.90 A |
| 封装 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 漏源极电阻 | 75.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel, Dual N-Channel |
| 功耗 | 1.50 W |
| 输入电容 | 220 pF |
| 栅电荷 | 3.00 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30.0 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | -12.0 V to 12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.90 A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
●PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
●最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。
●PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
Fairchild（飞兆/仙童）
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FDMA2002NZ 系列 30 V 123 mOhm 双 N 沟道 PowerTrench Mosfet MicroFET 2x2
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