| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 115 mA |
| 封装 | SOT-23 |
| 漏源极电阻 | 7.50 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 225 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 115 mA |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V 最大漏极电流Id Drain Current | 115mA/0.115A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 7.5Ω/Ohm @500mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation | 300mW/0.3W Description & Applications | Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 Features 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 Pb−Free Packages are Available 描述与应用 | Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 特性 60 V，115 mA，N沟道SOT-23 无铅封装
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor（安森美）
11 页 / 0.21 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
Vishay Semiconductor（威世）
N通道60 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS 2N7002 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 mA, 60 V, 1.8 ohm, 10 V, 2.1 V
NXP（恩智浦）
2N7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 12W 用于逻辑电平栅极驱动源/高速开关
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Panjit（强茂）
2n7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 S72 用于逻辑电平栅极驱动源/高速开关
Chenmko
2N7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 7002 用于逻辑电平栅极驱动源/高速开关
Secos
2N7002 N沟道MOSFET 60V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 7002 用于逻辑电平栅极驱动源/高速开关
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
