类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23-3 |
无卤素状态 | Halogen Free |
极性 | N-Channel |
漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 310 mA |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT) |
2N7002ET1G是一款N沟道小信号MOSFET, 采用Trench技术, 具有低漏极-源极电压. 适用于低压侧负载开关, 电平转换电路.
● 1.2A脉冲漏电流
● ±20V栅-源电压
● 无卤素
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Vishay Siliconix
2N7002E-T1 N沟道MOSFET 60V 240mA/0.24A SOT-23/SC-59 marking/标记 7ES 低漏源导通电阻
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY 2N7002E-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 240mA TO-236, 整卷
Vishay Semiconductor(威世)
N沟道60 V (D -S )的MOSFET N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
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