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VNV35N07
来自 AiPCBA

VNV35N07 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:FET驱动器
封装:PowerSO-10
描述:â ???? OMNIFETâ ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
PDF文件:VNV35N07 数据手册 (13 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

VNV35N07 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)70.0 V
额定电流35.0 A
封装PowerSO-10
漏源极电阻28.0 mΩ
功耗125 W
漏源击穿电压70.0 V
连续漏极电流(Ids)35.0 A
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VNV35N07 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
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VNV35N07 数据手册

VNV35N07 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
13 页 / 0.23 MByte

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