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VNV20N07
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VNV20N07 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:FET驱动器
封装:PowerSO-10
描述:？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
PDF文件:VNV20N07 数据手册 (13 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

VNV20N07 技术参数、封装参数

类型描述
封装PowerSO-10
漏源极电阻50.0 mΩ
功耗83.0 W
漏源击穿电压70.0 V
连续漏极电流(Ids)20.0 A
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VNV20N07 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
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VNV20N07 数据手册

VNV20N07 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
13 页 / 0.39 MByte

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