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VNS3NV04D-E
来自 AiPCBA

VNS3NV04D-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:开关电源
封装:SO
描述:OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
PDF文件:VNS3NV04D-E 数据手册 (21 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

VNS3NV04D-E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SO
漏源极电阻120 mΩ
极性Dual N-Channel
功耗4.00 W
漏源击穿电压45.0 V
栅源击穿电压-20.0 V to 20.0 V
连续漏极电流(Ids)1.50 A
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VNS3NV04D-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
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VNS3NV04D-E 数据手册

VNS3NV04D-E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
21 页 / 0.35 MByte
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