| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 70.0 V |
| 额定电流 | 35.0 A |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源极电阻 | 28.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 125 W |
| 漏源击穿电压 | 70.0 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 35.0 A |
| 上升时间 | 350 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Tube |
ST Microelectronics（意法半导体）
11 页 / 0.27 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS VNP35N07-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS VNP35NV04-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 55 V, 13 mohm, 5 V, 2.5 V
ST Microelectronics（意法半导体）
“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
